Предложена классификация концептуальных сценариев (парадигма) модификации поверхности Ge, сопровождающееся порообразованием, при высокодозовом ионном облучении и вызываемой конкурирующими процессами распыления и распухания материала. Предложенная парадигма ситуационного поведения (концептуальных сценариев) на примере облучаемого Ge, может быть рассмотрена и применена к широкому классу полупроводниковых материалов (GaN, GaAs, GaSb, Si и др.), также демонстрирующих порообразование на своей поверхности при ионном облучении.

Публикации:

1. A. L. Stepanov, I. A. Faizrakhmanov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, A. M. Rogov, D. A. Konovalov / Thin germanium films created by ion-assisted stimulating deposition for formation of nanoporous layers // Appl. Phys. A, 131, 647 (2054) (DOI: 10.1007/s00339-025-08773-8, Q2);
2. А. Л. Степанов, А. М. Рогов, В. Ф. Сотникова, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, Д. А. Коновалов / Концептуальные сценарии модификации поверхности германия вследствие распыления и распухания при низкоэнергетическом ионном облучении // ЖТФ (2025) в печати.
3. A. L. Stepanov / Applications of nanoporous germanium layers formed by metal-ion implantation / Chapter in the Book: Dynamics at the surface: Leveraging interactions of ions and electrons with materials for nanotechnology // Apple Academic Press (2025) in press.

Исследования проводились в рамках выполнения грантов РНФ № 25-29-00022 (рук. Степанов А.Л.) и госзадания ФИЦ КазНЦ РАН «Физика функциональных материалов и гибридных мезоскопических структур для микроэлектроники, энергетики и информационных технологий», руководитель Л.Р. Тагиров, №125031903979-7.

Приоритетное направление ПФНИ: 1.3.2.6. Физика поверхности, границ раздела и других протяженных дефектов