Важнейшие результаты 2012 г.Впервые обнаружены осцилляции интенсивности и модуляция формы фотонного эха, вызванные зеемановским расщеплением оптической частоты в слабом импульсном магнитном поле. В нулевом постоянном магнитном поле по измеренному периоду модуляций формы сигнала эха определенo значение g-фактора оптически возбуждённого состояния 4F9/2 иона Er3+ в LiLuF4. Показано, что магнитными импульсами можно контролируемым образом кардинально менять форму эхо-отклика. Лаборатория нелинейной оптики и лаборатория магнитоакустики КФТИ КазНЦ РАН.
Фотонное эхо наблюдалось на переходе 4I15/2 -> 4F9/2 иона Er3+ в кристаллических матрицах LiLuF4 и LiYF4 при температуре 2 К. Под действием импульса слабого однородного магнитного поля (МП), поданного между лазерными импульсами или между вторым лазерным импульсом и эхо-откликом наблюдались осцилляции интенсивности фотонного эха в зависимости от площади магнитного импульса (произведения амплитуды поля на длительность). Если магнитный импульс подавался во время излучения эхо-отклика, то форма эхо-отклика в зависимости от времени подачи магнитного импульса модулировалась. Серия магнитных импульсов кардинально меняла форму эхо-отклика. По периоду осцилляций и более точно по периоду модуляции в нулевом постоянном МП был определён g-фактор оптически возбуждённого состояния иона Er3+ в LiLuF4. Показана принципиальная возможность контролируемым образом менять форму эхо-отклика, что может быть использовано для записи и кодирования информации в квантовой памяти на основе фотонного эха.
|