|
Предложена и апробирована оригинальная дифракционная методика динамической термометрии и исследования быстрых структурных и фазовых переходов на поверхности полупроводников при импульсном нагреве. Лаборатория методов медицинской физики и лаборатория быстропротекающих молекулярных процессов КФТИ КазНЦ РАН.
Данная методика основана на регистрации динамики дифракционной картины Фраунгофера от двух измерительных дифракционных решёток, созданных на поверхности полупроводника ионной имплантацией и фотолитографией. Методика позволяет с высоким временным разрешением исследовать структурные и фазовые переходы в ионно-легированных слоях полупроводников, такие как твёрдофазная рекристаллизация и плавление. Одновременно производится бесконтактное измерение температуры образца в процессе импульсного светового отжига. По изменению угла дифракции от фазовой решетки из-за теплового расширения образца определялась текущая температура. Разработанная методика открывает новые направления развития исследования в области импульсного воздействия на твердые тела, такие как дилатометрия, лазерное охлаждение твердых тел.
Рис. 1. Сигнал интенсивности первого дифракционного максимума для кремния, имплантированного ионами P+, с энергией 50 кэВ при ИСО длительностью 970 мс с плотностью мощности 140 Вт/см2 и динамика изменения температуры.
|
