Экспериментально установлено сильное влияние кислородных вакансий на проявление ферромагнетизма в магниторазбавленных оксидных полупроводниках (на примере TiO2, содержащего имплантированную примесь кобальта). Лаборатория радиационной физики КФТИ КазНЦ РАН.
С использованием оригинальной методики по перемещению или инжекции кислородных вакансий в магниторазбавленном оксидном полупроводнике СoxTi1-xO2-δ, полученном путём ионной имплантации [1], удалось создать в его объёме пространственно разделённые области, как с повышенным, так и с пониженным содержанием вакансий. Магнитные измерения показали, что величины спонтанного и остаточного магнитного момента, регистрируемые при комнатной температуре, в среднем в 3-4 раза больше для области материала с повышенным содержанием вакансий, чем это имеет место для области с пониженным содержанием последних. Это указывает на существенную роль кислородных вакансий в установлении дальнодействующего ферромагнитного порядка в диоксиде титана (TiO2) и других оксидных полупроводниках, легированном примесью магнитных элементов группы железа [1, 2]. Методика контроля над величиной ферромагнитного отклика в магнитноразбавленных оксидных полупроводниках путём контролируемого процесса перемещения (или инжекции) кислородных вакансий может найти применение при конструировании новых приборов спинтроники.
|