Впервые зарегистрирован и изучен фазовый переход из ферромагнитного в парамагнитное состояние в баллистических наноконтактах Ni при протекании через них тока высокой плотности. Отдел химической физики, лаборатория физики и химии поверхности. Экспериментальное и теоретическое изучение особенностей протекания спин-поляризованного тока высокой плотности в ферромагнитных наноструктурах при различных режимах проводимости (баллистическом, туннельном или диффузионном) позволит физически обосновать условия применения подобных наноструктур в устройствах спиновой электроники для обработки и хранения информации.Получены наноконтакты Ni с поперечным сечением от 1.5 до 12 нм с баллистическим и диффузионным режимами проводимости. При исследовании дифференциальных вольт-ампертных характеристик впервые зарегистрирован фазовый переход из ферромагнитного в парамагнитное состояние в баллистических наноконтактах Ni при протекании через них тока высокой плотности. Предложена теоретическая модель нагрева наноконтакта протекающим током, учитывающая релаксационные процессы в приконтактной области. Качественное и количественное согласие с экспериментом достигается при условии, что в баллистических НК не только энергия, но и время энергетической релаксации электрона зависят от приложенной разности потенциалов, если избыточная энергия электронов превышает характерные энергии фононов и магнонов. Показано, что величина напряжения UC, необходимая для джоулева нагрева приконтактной области до критической температуры фазового перехода, не зависит от размера контакта только в диффузионном режиме. Для баллистических контактов UC увеличивается с уменьшением размера наноконтакта. Теоретический анализ экспериментальных данных позволил: оценить длины свободного пробега при рассеянии электронов в Ni на примесях, фононах и магнонах при различных температурах; определить диаметры полученных наноконтактов и момент перехода от баллистического режима транспорта электронов к диффузному при увеличении размера наноконтакта. Рис. 1. Переход от баллистического режима транспорта электронов к диффузному при увеличении размеров наноконтактов Ni.
|