Важнейшие результаты 2009 г.Обнаружен и объяснен эффект отклонения направления осей легкого намагничивания от направления внешнего магнитного поля в образцах кремния, имплантированных ионами железа. Отдел радиационных воздействий на материалы, лаборатория радиационной химии и радиобиологии. С использованием разработанного оригинального автоматизированного комплекса на основе эффекта Керра, а также необходимого программного обеспечения, что позволило проводить измерения локальных магнитных характеристик наноструктурированных ферромагнитных материалов в автоматическом режиме, обнаружен и объяснен эффект отклонения направления осей легкого намагничивания от направления внешнего магнитного поля в образцах кремния, имплантированных ионами железа. Определены режимы ионной имплантации, что позволяет проводить целенаправленный синтез наноструктурированных ферромагнитных пленок с заданными свойствами, а также определять отклонение от однородности магнитных свойств с локальным разрешением менее 1 мкм. Полученные экспериментальные зависимости качественно хорошо описываются теорией на основе модели Стонера-Вольфарта, что позволило предложить механизм возникновения магнитной анизотропии при ионно-лучевом синтезе в магнитном поле.
Рис. 1. Сканирующий магнитополяриметр и топограмма азимутальных зависимостей остаточной намагниченности наноструктурированной ферромагнитной пленки.
|
