Разработан метод создания напряженных и сильно легированных донорной примесью слоев германия на полупроводниковых и изолирующих подложках. 

Руководитель: Баязитов Р.М. (КФТИ КазНЦ РАН)
Исполнители: Баталов Р.И., Файзрахманов И.А. (КФТИ КазНЦ РАН)
Со-исполнители: Ивлев Г.Д. (БГУ, Минск, Беларусь)

Метод включает ионно-лучевое распыление германия и последующую наносекундную лазерную обработку осажденных слоев. Данный метод перспективен для микро- и оптоэлектроники при создании быстродействующих транзисторов, светодиодов и фотоприемников в ближней ИК-области. Получены пленки Ge с высоким уровнем растягивающей деформации (до 1%), низким сопротивлением и высокой концентрацией электронов проводимости (до 5$10²⁰ см^–3), превышающей равновесную растворимость примесей и значения, полученные при традиционных термических обработках.

Публикации:

1. Новиков Г.А., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., и др. Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце // ЖТФ, 85, №3, 89–95 (2015)

2. Новиков Г.А., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., и др.: Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: Структура и оптические свойства // ФТП, 49, №6, 746–752 (2015)

3. Novikov H.A., Bayazitov R.M., Batalov R.I., Faizrakh­manov I.A., Ivlev G.D., Prokop’ev S.L.: // Proceedings of Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (Dalnauka), Vladivostok, Russia, 19–26 August, 2015, p. 255–256.

4. Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Ивлев Г.Д.: Труды 2-й Российско-Белорусской конференции “Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение” им. О. В. Лосева, Нижний Новгород, 17–19 ноября 2015, с. 140–144.